CMOS器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管以及PMOS晶体管，且栅极两侧形成有应力侧壁；所述NMOS晶体管的应力侧壁具有拉伸应力，PMOS晶体管的应力侧壁具有压缩应力。上述CMOS器件在制作时，采用应变记忆技术将应力记忆于NMOS晶体管沟道区域，同时在NMOS晶体管以及PMOS晶体管的栅极上形成应力侧壁，提供了良好的应力效果，且简化了器件结构。

主权项

一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括NMOS晶体管以及PMOS晶体管；在所述半导体结构表面依次形成覆盖所述NMOS晶体管以及PMOS晶体管的第一介质层以及第一应力层；去除所述第一应力层位于PMOS晶体管区域的部分；在去除部分第一应力层之后，对上述形成的半导体结构进行尖峰退火；刻蚀所述第一应力层，去除位于NMOS晶体管栅极顶部以及半导体衬底上的第一应力层，在NMOS晶体管的栅极两侧形成第一应力侧壁，并保留位于所述NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的第一介质层；在所述第一应力侧壁以及第一介质层的表面依次形成覆盖所述NMOS晶体管以及PMOS晶体管的第二介质层以及第二应力层；去除所述第二应力层位于NMOS晶体管区域的部分；刻蚀所述第二应力层，去除位于PMOS晶体管栅极顶部以及半导体衬底上的第二应力层，在PMOS晶体管的栅极两侧形成第二应力侧壁，并保留位于所述NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的第二介质层；在NMOS晶体管区域，依次位于栅极侧壁上的第一介质层、第一应力侧壁以及所述第二介质层构成复合侧壁结构；在所述PMOS晶体管区域，依次位于栅极侧壁上的第一介质层、第二介质层以及第二应力侧壁构成复合侧壁结构；其中，所述第二应力侧壁的应力大小大于所述第一应力侧壁的应力大小，所述第一应力层的应力大小为0.6GPa～1.5GPa，所述第二应力层的应力大小为‑2.5GPa～‑3.5GPa。