发明名称 一种原子层沉积设备
摘要 本发明提供了一种原子层沉积设备,包括反应腔室,反应腔室包括多个子腔室和驱动单元,其中在反应腔室内的同一水平面上设置有多个工艺位,多个工艺位沿反应腔室的周向间隔设置,且按工序的先后顺序依次均匀排列,子腔室的数量和位置与工艺位的数量和位置一一对应,并且每个子腔室用于对置于其内的基片完成单次工艺中的其中一个工序;驱动单元用于实现使每个基片按工序的先后顺序被依次置于各个工艺位所在位置处的子腔室内完成相应工序。本发明提供的原子层沉积设备,其可以实现单次工艺同时加工多个基片,从而可以提高工艺效率,进而可以提高产能。
申请公布号 CN104233226A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201310302626.3 申请日期 2013.07.18
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 南建辉;宋巧丽;李强;王宝全;苏晓峰
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 彭瑞欣;张天舒
主权项 一种原子层沉积设备,包括反应腔室,其特征在于,所述反应腔室包括多个子腔室和驱动单元,其中在所述反应腔室内的同一水平面上设置有多个工艺位,所述多个工艺位沿所述反应腔室的周向间隔设置,且按工序的先后顺序依次均匀排列;所述子腔室的数量和位置与所述工艺位的数量和位置一一对应,并且每个所述子腔室用于对置于其内的基片完成单次工艺中的其中一个工序;所述驱动单元用于实现使每个所述基片按工序的先后顺序被依次置于各个所述工艺位所在位置处的子腔室内完成相应工序。
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