具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法

摘要

本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

主权项

一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在晶片的前表面上设置包括第一有源层的基板；在所述第一有源层上形成第一模制层以向所述基板提供刚性，所述第一模制层包括聚合物材料；在形成所述第一模制层之后，通过去除所述基板的第一背表面而将所述基板减薄以暴露第二背表面，在所述减薄期间，通过将所述第一模制层可去除地附接于保持装置而没有使用粘合剂，所述基板被固定就位；以及在减薄的基板上形成垫，所述垫电连接到所述基板中的贯穿电极。