发明名称 半导体器件
摘要 本发明涉及半导体器件。本发明能够减少在第一半导体芯片中产生并通过硅通孔传递到第二半导体芯片的热量。第一半导体芯片具有第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中,第一电路形成区不与通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区重叠。在平面图中,一些连接端子位于第一电路形成区与硅通孔区之间。
申请公布号 CN104241258A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410249835.0 申请日期 2014.06.06
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 山道新太郎;小川健太
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 申发振
主权项 一种半导体器件,包括:布线板;第一半导体芯片,其被安装于所述布线板的第一表面之上使得元件形成表面面朝所述第一表面,并且所述第一半导体芯片具有第一电路;第二半导体芯片,其被布置于所述第一半导体芯片之上;以及多个连接端子,其将所述第一半导体芯片与所述布线板耦接,其中所述第一半导体芯片具有面朝所述第一表面的所述元件形成表面,并且所述第一半导体芯片具有多个第一硅通孔,其中所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的所述第一硅通孔电耦接,其中每个所述第一硅通孔都被布置于成m行和n列排布的网格点中的任意一个上,其中m>n,其中通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区在平面图中不与所述第一电路重叠,并且其中所述连接端子中的一些连接端子在平面图中位于所述第一电路与所述第一硅通孔之间。
地址 日本神奈川