发明名称 |
放大器 |
摘要 |
本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备:具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管,该放大器还具备:附加于每个所述栅极指的电容性电介质;以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻,由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器,从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion,氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。 |
申请公布号 |
CN104247258A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201480001035.5 |
申请日期 |
2014.02.07 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
高桥幸二;中村重纪 |
分类号 |
H03F3/193(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/193(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邸万奎 |
主权项 |
放大器,其具备:具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管,所述放大器还具有:附加于每个所述栅极指的电容性电介质;以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻,由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器,从所述栅极的输入端子到氧化物扩散区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。 |
地址 |
日本大阪府 |