| 发明名称 | 沟槽的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽的制造方法。该方法包括以下步骤：提供一基板；形成至少一绝缘层于所述基板之上；形成一硬罩幕层于所述绝缘层之上；图案化所述硬罩幕层，以得到具有一开口的图案化硬罩幕层；进行一第一蚀刻步骤，沿着所述开口蚀刻所述绝缘层，以形成一沟槽；填充一光阻于所述沟槽中与所述图案化硬罩幕层之上；进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻部分的所述图案化硬罩幕层且曝露出所述图案化硬罩幕层；进行一第三蚀刻步骤，以移除所述图案化硬罩幕层；以及进行一第四蚀刻步骤，以移除所述光阻。采用本发明的沟槽的制造方法在蚀刻步骤所产生的高分子可轻易提供硫酸移除，且不会伤害绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN104241189A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310234433.9 | 申请日期 | 2013.06.13 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈俊旭;李书铭 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 姚亮 |
| 主权项 | 一种沟槽的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；形成至少一绝缘层于所述基板之上；形成一硬罩幕层于所述绝缘层之上；图案化所述硬罩幕层，以得到具有一开口的图案化硬罩幕层；进行一第一蚀刻步骤，沿着所述开口蚀刻所述绝缘层，以形成一沟槽；填充一光阻于所述沟槽中与所述图案化硬罩幕层之上；进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻部分的所述图案化硬罩幕层且曝露出所述图案化硬罩幕层；进行一第三蚀刻步骤，以移除所述图案化硬罩幕层；以及进行一第四蚀刻步骤，以移除所述光阻。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||