一种LED表面图案化方法

摘要

本发明公开一种LED表面图案化方法。将单分散的微球溶液与酒精混合，然后通过缓冲器将单分散的微球转移到去离子水的表面并且均匀散开；滴入表面活性剂改变水的表面张力，使微球自组装地呈六角密排阵列，形成单层微球膜；将单层微球膜转移到LED表面并且加热样品，以此固定微球位置作为刻蚀掩模；通过刻蚀裁剪微球，使之改变大小，获得不同占空比；以裁剪过的微球膜为掩模，刻蚀LED表面材料，将剩余的掩模材料剥离；得到纳米圆台阵列，作为LED表面粗化图案，能明显提高LED光萃取效率。圆台阵列图案的周期、占空比、圆台单元形状，可以通过改变微球直径、刻蚀功率、氧气流量及刻蚀时间来控制，设计原理简单，制备成本低廉且易于操作。

主权项

一种LED表面图案化方法，其特征在于其包括以下步骤：a.将单分散的聚苯乙烯微球溶液与酒精混合，将聚苯乙烯微球转移到去离子水的表面并且均匀散开；b.滴入十二烷基硫酸钠表面活性剂改变去离子水的表面张力，使原本分散的微球自组装地排列，呈六角密排晶格结构，形成聚苯乙烯单层微球膜；c.将单层微球膜转移到LED表面，并将LED置于70℃温度下加热20分钟，使单层微球膜中的每个微球都粘附于LED表面，固定微球位置作为刻蚀掩模；d.再在氧离子垂直方向刻蚀单层微球膜，裁剪每颗微球的大小，以获得不同占空比；e.以被裁剪过的单层微球膜为掩模，ICP刻蚀LED表面材料GaN，自上而下垂直刻蚀LED材料，同时微球膜材料也被刻蚀，得到的纳米圆台阵列其每个圆台单元的上底圆直径小于下底圆直径；f.将剩余的微球掩模材料剥离，最后在LED表面得到纳米圆台阵列图案；所述纳米圆台阵列图案其周期为450nm、308nm或187nm。