发明名称 |
Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur und umfasst folgende Schritte:–Einbringen eines radioaktiven Elementes in eine wasserfreie flüssige Phase,–Mischen mit einer ein dreiwertiges Metallion enthaltende wasserfreie flüssige Phase,–Hinzumischen einer wasserfreien, flüssigen Phase, die eine phosphorhaltige Verbindung enthält,–Ausfällen eines Phosphates in dem das radioaktive Element gebunden ist.</p> |
申请公布号 |
DE102013211942(A1) |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
DE201310211942 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
FRIEDRICH, KARL BERNHARD;HANEBUTH, MARC;KRUSE, STEPHANIE;TREMEL, ALEXANDER |
分类号 |
C01B25/37 |
主分类号 |
C01B25/37 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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