| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법은 적어도 하나의 비아홀(via hole)이 형성된 기판을 마련하는 단계, 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층 상에 반도체 발광 소자를 형성하는 단계 및 식각액을 제공하여 희생층을 습식 식각하여 기판을 반도체 발광 소자로부터 분리하는 단계-여기서, 식각액은 희생층의 옆면 및 적어도 하나의 비아홀로 침투하여 희생층을 습식 식각함-를 포함한다.</p> |
