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发明名称
高抵抗率炭化ケイ素
摘要
A recrystallized silicon carbide body is provided that has a resistivity of not less than about 1E5Ωcm and a nitrogen content comprising nitrogen atoms bonded within the body, wherein the nitrogen content is not greater than about 200 ppm.
申请公布号
JP5645665(B2)
申请公布日期
2014.12.24
申请号
JP20100531329
申请日期
2008.10.29
申请人
发明人
分类号
C04B35/565;C04B41/87
主分类号
C04B35/565
代理机构
代理人
主权项
地址
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