| 发明名称 | 磁传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁传感器及其制造方法。所述磁传感器包括：包括多个霍尔元件的衬底、形成在衬底上的保护层、形成在保护层上的基础层、以及形成在基础层上的包括具有凸起部的表面的磁集极(IMC)。基础层具有比IMC大的截面面积。 | ||
| 申请公布号 | CN104237812A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310388598.1 | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 柳升翰;郑锺烈;金官洙 |
| 分类号 | G01R33/07(2006.01)I;H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种磁传感器，包括：包括有多个霍尔元件的衬底；形成在所述衬底上的保护层；形成在所述保护层上的基础层；以及形成在所述基础层上并且包括具有凸起部的表面的磁集极(IMC)，其中所述基础层具有比所述IMC大的截面面积。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||