发明名称 一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法
摘要 本发明公开的一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法,其特征在于,具体包括如下步骤:(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽,所述槽的槽口位于硅片的表面;(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜,所述保护膜跨过所述槽;或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上;(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理,减薄至规定厚度;(4)撕去硅片表面的保护膜,得到符合要求的减薄后的硅片;或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。本发明与现有技术相比,具有以下优点:1、加工简单;2、易于贴膜;3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。
申请公布号 CN104241094A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410312414.8 申请日期 2014.10.08
申请人 上海朕芯微电子科技有限公司 发明人 杨凡力
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人 吕伴
主权项 一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法,其特征在于,具体包括如下步骤:(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽,所述槽的槽口位于硅片的表面;(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜,所述保护膜跨过所述槽;或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上;(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理,减薄至规定厚度;(4)撕去硅片表面的保护膜,得到符合要求的减薄后的硅片;或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。
地址 201407 上海市奉贤区海湾镇场中路198号11幢110室