电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了电熔丝结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。其中，在电熔丝结构的形成方法中，先在半导体衬底上形成纳米线，之后刻蚀部分厚度的衬底，使所述纳米线凸起于半导体衬底表面，再在所述纳米线的两端掺杂离子，以形成电熔丝结构。上述技术方案方法简单，形成的电熔丝结构新颖，实现了形成的电熔丝结构的多样性。

主权项

一种电熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成纳米线；刻蚀部分厚度的所述半导体衬底，使所述纳米线凸起于半导体衬底，且所述纳米线的两端由半导体衬底支撑，中间部分与所述半导体衬底之间具有间隔；对所述纳米线的两端进行离子掺杂，形成电熔丝结构的阴极和阳极，所述纳米线上阴极和阳极之间的区域为熔断区。