相变化存储器、其写入方法及其读取方法

摘要

本发明公开了一种相变化存储器、其写入方法及其读取方法。相变化存储器具有多个存储单元。写入方法包括以下步骤：施加至少一加压脉波以老化这些存储单元的至少其中之一；施加一起始脉波至相变化存储器的所有的存储单元，以降低各个存储单元的阻抗；施加一侦测脉波至相变化存储器的所有的存储单元，以侦测其中已老化的部份存储单元与未老化的部份存储单元；施加一设定脉波于已老化的部份存储单元；施加一复位脉波于未老化的部份存储单元。

主权项

一种相变化存储器(phase change memory，PCM)的写入方法(writing method)，其中该相变化存储器具有多个存储单元，该写入方法包括：施加至少一加压脉波(stress plus)以老化(aging)这些存储单元的至少其中之一；施加一起始脉波(starting pulse)至该相变化存储器的所有的这些存储单元，以降低各该存储单元的阻抗；施加一侦测脉波(detection pulse)至该相变化存储器的所有的这些存储单元，以侦测其中已老化(aged)的部份这些存储单元与未老化的部份这些存储单元；施加一设定脉波(set pulse)于已老化的部份这些存储单元；并且施加一复位脉波(reset pulse)于未老化的部份这些存储单元。