制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法和衬底处理装置，该方法包括：将第一衬底和第二衬底以第二衬底被布置成面对第一衬底的相对表面的状态运输输送到处理腔中，该第一衬底提供有拥有具有绝缘体区域和暴露在绝缘体区域之间的半导体区域的相对表面，该第二衬底提供有拥有朝向第一衬底的相对表面而暴露的绝缘体表面；以及通过对处理腔的内部进行加热和向处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，至少在第一衬底的相对表面的半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：以第二衬底被布置为面对第一衬底的相对表面的状态，将拥有包括绝缘体区域和暴露在所述绝缘体区域之间的半导体区域的所述相对表面的所述第一衬底和拥有朝向所述第一衬底的所述相对表面暴露的绝缘体表面的所述第二衬底输送到处理腔中；以及通过加热所述处理腔的内部以及向所述处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，在至少所述第一衬底的所述相对表面的所述半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜，其中选择性地形成含硅膜包括引起由在所述处理腔内的气体层中的所述含硅气体和所述含氯气体的分解而形成的材料被吸收到至少所述第二衬底的背面和所述第一衬底的所述半导体区域。