Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung enthält die folgenden Schritte: (a) Vorbereiten eines Siliciumcarbidsubstrats (1), das einen auf einer Hauptoberfläche ausgebildeten Photoresistfilm (2) enthält, (b) Tropfen einer ersten Entwicklungslösung (3) auf den Photoresistfilm (2), (c) Drehen des Siliciumcarbidsubstrats (1), um die auf den Photoresistfilm (2) getropfte erste Entwicklungslösung (3) ablaufen zu lassen, nachdem seit dem Ende des Schritts (b) eine erste Entwicklungszeit verstrichen ist, (d) Tropfen einer zweiten Entwicklungslösung (3) auf den Photoresistfilm (2) nach dem Schritt (c) und (e) Drehen des Siliciumcarbidsubstrats (1), um die auf den Photoresistfilm (2) getropfte zweite Entwicklungslösung (3) ablaufen zu lassen, nach Verstreichen einer zweiten Entwicklungszeit seit dem Ende des Schritts (d).