| 发明名称 | 凸点下金属层溅射方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种凸点下金属层溅射方法，包括步骤：将所述晶圆放入溅射蚀刻腔，去除氧化层，并且，在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃；将所述晶圆放入金属溅射腔，溅射凸点下金属层，并且，在此过程中；其中保持所述晶圆温度小于120℃。降低晶圆的温度到一定值，能够有效的降低凸点下金属层与铝垫之间的接触电阻，提高产品的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104241102A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410426023.9 | 申请日期 | 2014.08.26 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 王自台 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 主权项 | 一种凸点下金属层溅射方法，其特征在于，包括步骤：将所述晶圆放入溅射蚀刻腔，去除氧化层，并且，在此过程中保持所述晶圆温度小于120℃；将所述晶圆放入金属溅射腔，溅射凸点下金属层，并且，在此过程中；其中保持所述晶圆温度小于120℃。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||