| 发明名称 | 用于低功率闪存存储器的电压模式感测 | ||
| 摘要 | 电可擦除闪存存储器具有包括至少一行(24，44)存储器单元(10，30)的存储器阵列(50)。每个存储器单元具有数据状态。电压感测电路(54)选择性地耦合至存储器单元中的个体存储器单元并且配置成采用偏置电流和偏置电阻中的至少一个来偏置它们以读取所选个体存储器单元的数据状态。参考位线(66)向感测电路(54)提供所选位线(26)上的数据可被精确读取的指示。 | ||
| 申请公布号 | CN104246895A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201380020309.0 | 申请日期 | 2013.03.01 |
| 申请人 | 美敦力公司 | 发明人 | K·K·沃尔什;P·B·帕特森;G·W·本顿;J·D·威尔金森 |
| 分类号 | G11C16/28(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C7/08(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I;G11C7/14(2006.01)I;G11C11/00(2006.01)I;G11C17/12(2006.01)I;G11C29/50(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 宋静娴 |
| 主权项 | 一种电可擦除闪存存储器，包括：数据存储元件，所述数据存储元件配置成存储多个数据位，所述多个数据位的每一个具有数据状态；以及电压感测电路，所述电压感测电路选择性地耦合至所述多个数据位的个体数据位并且配置成采用偏置电流和偏置电阻中的至少一个来偏置所述多个数据位的所述个体数据位并且读取所述多个数据位的所述个体数据位的所述数据状态。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||