发明名称 金属栅极晶体管的形成方法
摘要 一种金属栅极晶体管的形成方法,包括:提供衬底;在衬底正面上形成伪栅极;在衬底正面上形成第一层间介质层,进行平坦化直至露出伪栅极;去除伪栅极以形成沟槽;形成金属栅极叠层,覆盖第一层间介质层并填充沟槽,进行平坦化以在沟槽内形成金属栅极;形成金属栅极之后,对衬底正面进行边缘清洁处理,以使衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层被去除。由于增加了对衬底正面进行边缘清洁处理的步骤,使得衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层有被去除,且形成第二层间介质层之后,第二层间介质层能够牢靠地附着在衬底上,因此消除了第二层间介质层的边缘部分和金属栅极叠层剥离的问题,进而能够提高晶体管的性能。
申请公布号 CN104241131A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201310231964.2 申请日期 2013.06.09
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 刘焕新
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种金属栅极晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底正面上形成伪栅极;在所述衬底正面上形成第一层间介质层,对所述第一层间介质层进行平坦化直至露出所述伪栅极;去除所述伪栅极以形成沟槽;形成金属栅极叠层,覆盖所述第一层间介质层并填充所述沟槽,对所述金属栅极叠层进行平坦化以在所述沟槽内形成金属栅极;形成所述金属栅极之后,对所述衬底正面进行边缘清洁处理,以使衬底侧壁至预定距离的环形区域上的金属栅极叠层被去除。
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