一种集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁和底部绝缘的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管以及集成无源器件和MEMS器件等组件，通过晶圆加工流程集成到单一芯片之上，相对于现有通过系统集成封装技术所制作的射频前端模块，具有更高的信噪比、更低的功耗、更小的器件尺寸以及更低的成本。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低最终射频前端模块封装的复杂度和制造成本。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底的第二表面上的第一体介电层、位于所述第一半导体衬底的第一表面的第一区域的第一组晶体管和位于所述第一半导体衬底第一表面的第二区域的第二组晶体管。