| 发明名称 | 一种WSI复合栅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种WSI复合栅的制造方法，其包括：在硅片上先形成栅氧层结构的步骤；在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅的步骤；对硅片进行预清洗的步骤；在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI）的步骤；进行WSI刻蚀的步骤；进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。本发明的方法在进行完多晶硅刻蚀之后不进行氧气流清洗的步骤，直接进行硅栅侧壁氧化层的步骤，能够有效避免WSI残留的缺陷，提高产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104241103A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310236481.1 | 申请日期 | 2013.06.14 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈亚威 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 王爱伟 |
| 主权项 | 一种WSI复合栅的制造方法，其包括：在硅片上先形成栅氧层结构的步骤，其中栅氧层的厚度为123埃<img file="FDA00003346409200011.GIF" wi="112" he="70" />在形成栅氧层后的硅片上沉淀多晶硅（poly）的步骤，其中沉淀多晶硅采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1500埃<img file="FDA00003346409200012.GIF" wi="108" he="68" />对硅片进行预清洗的步骤；在沉积过多晶硅的硅片上沉积难熔金属硅化物（WSI）的步骤，其中沉积WSI采用化学气相沉积（CVD）的方法沉积，沉积的厚度为1200埃<img file="FDA00003346409200013.GIF" wi="111" he="69" />进行WSI刻蚀的步骤；进行多晶硅刻蚀形成WSI复合栅极的步骤；不进行氧气处理直接形成WSI复合栅极侧壁氧化层的步骤。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||