静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置

摘要

本发明公开了一种静电吸盘，包括制造静电吸盘的主体部和基座；以及将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘；其中制造静电吸盘主体部的步骤包括形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部。本发明能够有效提高静电吸盘的耐等离子体侵蚀性能、结构稳定性及使用寿命。

主权项

一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制造静电吸盘的主体部和基座，其中制造所述主体部的步骤包括：形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子体侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部；以及将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘。