一种ATO/Si₃N₄复合导电陶瓷粉体的制备方法

摘要

本发明公开了一种ATO/Si₃N₄复合导电陶瓷粉体的制备方法，其将Si₃N₄粉体预先分散在弱酸溶液中，形成浆料，并加热到一定温度；然后，将采用化学共沉淀法生成的ATO(锡锑氧化物)前驱体粒子沉积包覆在Si₃N₄表面，构成核壳结构复合微粒，再经离心洗涤、微波干燥、焙烧制成ATO/Si₃N₄复合陶瓷粉体。本发明制成的ATO/Si₃N₄复合陶瓷粉体导电性好，容易分散；由它制成的导静电陶瓷膜，导静电效果好，且持久稳定。该产品安全环保，易于工业化生产。

主权项

一种ATO/Si₃N₄复合导电陶瓷粉体的制备方法，其特征在于其包括如下步骤：（1）反应分散体系的配制：在反应器中，加入去离子水，在不断搅拌下，加入Si₃N₄粉体，用盐酸（1:1）溶液调节溶液的PH=1～5；（2）混合物溶液的配制：取工业乙醇，加入络合剂搅拌溶解，配制成络合剂乙醇溶液；配制四氯化锡、三氯化锑的盐酸溶液；将络合剂乙醇溶液和四氯化锡、三氯化锑的盐酸溶液混合制成锡锑混合溶液；（3）水解反应：在上述反应分散体系中，同时滴加上述锡锑混合溶液和氨水溶液，控制整个溶液的的PH值为1~5，反应温度为40~60℃，反应时间为45~120分钟，滴加完后，继续在40~60℃保温搅拌2～4小时，停止搅拌，放料于塑料桶中，静置至少12小时，形成ATO前驱体/Si₃N₄复合微粒浆料；（4）离心洗涤：除去上层清液，用平板离心机离心洗涤，用去离子水洗涤至少三遍，直至无Cl^‑离子为止；（5）微波干燥：将离心洗涤后的ATO前驱体/Si₃N₄复合料置于微波干燥箱中，控制干燥温度为110~130℃，得ATO前驱体/Si₃N₄复合粉体；（6）焙烧：将ATO前驱体/Si₃N₄复合粉体置于600~900℃的焙烧炉中恒温焙烧2‑4小时，冷却后，再经气流粉碎机粉碎，得ATO/Si₃N₄复合导电陶瓷粉体。