发明名称 |
一种射频LDMOS器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明适用于集成电路制造领域,提供了射频LDMOS器件及其制造方法,所述器件包括:P+硅衬底;在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域;P+下沉区域;源区;多晶硅栅;沟道区;漂移区;漏区。本发明实施例,通过调整射频LDMOS器件的沟道区注入计量,使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变,优化了射频LDMOS器件的性能。 |
申请公布号 |
CN104241381A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410459484.6 |
申请日期 |
2014.09.10 |
申请人 |
上海联星电子有限公司 |
发明人 |
杜寰 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种射频LDMOS器件,其特征在于,所述器件包括:电阻率为0.05~0.15Ω/cm<sup>3</sup>的P+硅衬底;在所述P+硅衬底上外延形成的厚度为9μm、掺杂浓度为6*10<sup>14</sup>cm<sup>‑3</sup>~8*10<sup>14</sup>cm<sup>‑3</sup>的P型外延区域;B杂质注入剂量为5.5*10<sup>15</sup>cm<sup>‑2</sup>~7.5*10<sup>15</sup>cm<sup>‑2</sup>、能量为90~110Kev、1050℃高温推进时间为180~220min的P+下沉区域;场氧厚度为1.8~2.2μm的源区;栅氧厚度为<img file="FDA0000568162690000011.GIF" wi="301" he="73" />多晶硅厚度为<img file="FDA0000568162690000012.GIF" wi="340" he="73" />的多晶硅栅;B杂质注入剂量为2*10<sup>13</sup>cm<sup>‑2</sup>~4*10<sup>13</sup>cm<sup>‑2</sup>、能量为40~60Kev、1000~1100℃高温推进时间为40~60min的沟道区;As杂质注入剂量为1.1*10<sup>12</sup>cm<sup>‑2</sup>~1.5*10<sup>12</sup>cm<sup>‑2</sup>、能量为140~160Kev、1000~1100℃高温推进时间为40~70min、长度为2μm~4μm的漂移区;AS杂质注入剂量为4*10<sup>15</sup>cm<sup>‑2</sup>~6*10<sup>15</sup>cm<sup>‑2</sup>、能量为80~120Kev、900~1000℃快速热处理30min的漏区。 |
地址 |
200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室 |