一种低漏电型电源钳位ESD保护电路

摘要

本发明涉及集成电路芯片静电放电保护设计的技术领域，具体公开一种低漏电型电源钳位ESD保护电路。本发明公开的低漏电型电源钳位ESD保护电路包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管。本发明公开的低漏电型电源钳位ESD保护电路在芯片正常工作时，直流电压探测模块到地的电阻很大，当泄放晶体管被触发后，直流电压探测模块到地的电阻变小，以此保证保护电路在芯片正常工作时漏电很小，同时，能提供可靠的ESD防护性能。

主权项

一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，包括瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管；其特征在于，所述瞬态触发模块包括：PMOS晶体管M_p2，NMOS晶体管M_n2与M_fb1,电阻R₁以及电容C；所述PMOS晶体管M_p2的栅极与所述NMOS晶体管M_n2的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n2的源极接地，所述NMOS晶体管M_n2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p2的源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb1的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb1的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电阻R₁的一端与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₁的另一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的另一端接地；所述直流电压探测模块包括：PMOS晶体管M_p1，NMOS晶体管M_n1、M_fb与M_b,电阻R以及二极管；所述PMOS晶体管M_p1的栅极与所述NMOS晶体管M_n1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n1的源极接地，所述NMOS晶体管M_n1的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述PMOS晶体管M_p1的源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_fb的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述电阻R的一端与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R的一端还与所述PMOS晶体管M_p1的源极相连，所述电阻R的另一端与所述NMOS晶体管M_b的漏极之间正向串联有所述二极管至少一个，所述NMOS晶体管M_b的源极接地；所述泄放晶体管为NMOS晶体管M_big，其栅极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，其栅极还与所述NMOS晶体管M_b的栅极相连，其源极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的地线V_SS相连，其漏极与所述低漏电型电源钳位ESD保护电路的电源线V_DD相连。