| 发明名称 | 具有局部背接触的太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有背接触和钝化发射极的太阳能电池（1）的制造方法，该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层（10），该至少两层的电介质叠层（10）至少包括与p型硅层（3）接触的AlOx的第一电介质层（11）和沉积在第一电介质层（11）上的第二电介质层（13）。此外，该制造方法包括优选通过激光烧蚀在该电介质叠层（10）中形成至少一个局部开口（15）的形成步骤，至少部分保留前述第一电介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN104247033A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201280049697.0 | 申请日期 | 2012.10.05 |
| 申请人 | IMEC公司;道达尔销售服务公司;勒芬天主教大学K.U.勒芬R&D | 发明人 | P.嘉弗伦诺;J.达思;A.尤鲁纳德卡斯特罗 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/061(2012.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 具有局部背接触的太阳能电池（1）的制造方法，该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层（10），该至少两层的电介质叠层（10）至少包括与p型硅层（3）接触的AlOx的第一电介质层（11）和沉积在第一电介质层（11）上的第二电介质层（13），其特征在于，该方法包括在该电介质叠层（10）中形成至少一个局部开口（15）的步骤，在该局部开口的位置至少部分保留所述第一电介质层（11）。 | ||
| 地址 | 比利时勒芬 | ||