| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, aufweisend die folgenden Schritte: (a) Ausbilden eines aktiven Bereichs einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung durch Ionenimplantierung einer Dotierung in eine Oberfläche eines Siliziumcarbid-Wafers (CW); (b) Ausbilden eines Graphitfilms (GF) auf einer gesamten Oberfläche des Siliziumcarbid-Wafers, welcher erhalten wird, nachdem der aktive Bereich ausgebildet ist, und auf einer gesamten Oberfläche eines Silizium-Wafers (SW), welcher als Kontrolleinheit für die Filmdicke verwendet wird, durch chemische Gasphasenabscheidung; und (c) Ermitteln der Dicke des Graphitfilms, wobei der Schritt (b) den Schritt des Ausbildens des Graphitfilms bei einer Filmbildungstemperatur von 800°C oder mehr und 950°C oder niedriger durch die chemische Gasphasenabscheidung umfasst, der Schritt (c) den Schritt des Bestimmens der Dicke des Graphitfilms, welcher auf dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist, durch Messen der Dicke des Graphitfilms, der auf dem Silizium-Wafer ausgebildet ist, umfasst. |
