太阳能电池用基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种硅基板及其制造方法，能够不使太阳能电池的制造工序复杂化而兼顾抑制电流的损失和增大电压。在从p型硅基板的一面扩散磷来制造太阳能电池用基板时，向氧氯化磷溶液中以1000毫升/分钟以下的少的流量供给氮气而得到掺杂用混合气体。因此，被导入加热炉内的掺杂用混合气体中的氧氯化磷浓度变低，所以在基板表面沉积的PSG层变得比较薄，能够降低基板表面的磷浓度的最大值，所以延长热处理时间并加深扩散深度，能够容易地实现平均浓度为(1.0～4.0)×10²⁰个/cm³、在50nm深度的浓度为(0.10～1.6)×10²⁰个/cm³，薄膜电阻为70～120Ω/□。

主权项

一种太阳能电池用基板，是在p型硅基板的一面侧通过磷的扩散形成有n层的太阳能电池用基板，其特征在于，所述一面的薄膜电阻在50～120Ω/□的范围内，并且所述n层的磷浓度从所述一面到50nm深度的范围的最大值为8×10²⁰个/cm³以下，并且平均值为1.0×10²⁰个/cm³以上，并且在该50nm深度的值为1.6×10²⁰个/cm³以下。