| 发明名称 | 一种高k/金属栅极结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高k/金属栅极结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成具有栅极图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述硬掩膜层、所述伪栅极层和所述覆盖层，停止于所述高k介电层表面；刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸；刻蚀所述高k介电层；选择性刻蚀所述覆盖层。根据本发明，可以准确控制高k介电层相对栅极层的突出量，并可以使覆盖层不突出于栅极层，从而避免出现短路故障，实现更好的器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104241343A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310231660.6 | 申请日期 | 2013.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;林益世 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种高k/金属栅极结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成具有栅极图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述硬掩膜层、所述伪栅极层和所述覆盖层，停止于所述高k介电层表面；刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸；刻蚀所述高k介电层；选择性刻蚀所述覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||