发明名称 |
提升磁材料性能的方法、磁传感装置的制备方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种提升磁材料性能的方法、磁传感装置的制备方法,所述磁传感装置的制备方法包括:在基底上依次沉积多层绝缘介质层,其中,最后沉积的一层绝缘介质层厚度小于50纳米,具有非晶结构,在该绝缘介质层上设置磁材料,提升材料磁性能。所述方法还包括在磁材料薄膜上设立一层或者多层的保护层材料,与磁材料直接接触的保护层材料具有高电阻或者具有非晶的结构。本发明在提升AMR等磁材料磁性能的同时又不影响器件制造工艺,不引入新的工艺和材料,有助于提升器件的性能和竞争力。 |
申请公布号 |
CN104241519A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201310251782.1 |
申请日期 |
2013.06.21 |
申请人 |
上海矽睿科技有限公司 |
发明人 |
张挺;杨鹤俊 |
分类号 |
H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 |
代理人 |
王松 |
主权项 |
一种提升磁材料性能的方法,其特征在于,所述方法包括:在基底上依次沉积多层绝缘介质层,其中,最后沉积的一层绝缘介质层厚度小于100纳米,具有非晶结构,在该介质层上设置磁材料,通过上述最后沉积的一层绝缘介质层与磁材料接触提升材料磁性能。 |
地址 |
201815 上海市嘉定区兴贤路1368号3幢3157号 |