发明名称 | 电子束感应蚀刻 | ||
摘要 | 公开了一种电子束感应蚀刻。束感应蚀刻使用维持在接近前体材料的沸点的温度处的工件,但是该温度足够高以脱附反应副产物。在一个实施例中,NF<sub>3</sub>被用作用于在低于室温的温度下进行硅的电子束感应蚀刻的前体气体。 | ||
申请公布号 | CN104241067A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201410376713.8 | 申请日期 | 2014.06.09 |
申请人 | FEI公司 | 发明人 | A·马丁;M·托思 |
分类号 | H01J37/30(2006.01)I;H01J37/305(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/30(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;陈岚 |
主权项 | 一种带电粒子束蚀刻的方法,包括:将衬底表面冷却到室温以下;将所述衬底表面暴露于前体气体,所述前体气体选择自具有低于所述衬底表面的温度的沸点的化合物的组;以及在存在所述前体气体的情况下利用带电粒子束照射所述衬底表面,所述前体气体在存在所述粒子束的情况下进行反应以从所述衬底表面移除材料。 | ||
地址 | 美国俄勒冈州 |