发明名称 |
具有多个IGBT的大功率变频器 |
摘要 |
本实用新型提供了一种具有多个IGBT的大功率变频器,包括散热器及装设在所述散热器基板背面的3×N个IGBT,且所述N为大于或等于2的整数,所述IGBT在散热器基板背面构成3列N行的IGBT矩阵,且该IGBT矩阵的列间距相同;所述IGBT阵列的三列IGBT分别构成变频器的一相输出;在所述IGBT阵列中,处于同一列的N个IGBT共用一组输入铜排和一组输出铜排,且所述输入铜排和输出铜排分别位于该列IGBT的两侧。本实用新型通过将多个IGBT以矩阵方式排列,可大大提高大功率变频器的功率密度,减小变频器的体积。 |
申请公布号 |
CN204046400U |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201420489272.8 |
申请日期 |
2014.08.27 |
申请人 |
深圳市汇川技术股份有限公司 |
发明人 |
翁明浩 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I;H05K7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 |
代理人 |
陆军 |
主权项 |
一种具有多个IGBT的大功率变频器,包括散热器及装设在所述散热器基板背面的3×N个IGBT,且所述N为大于或等于2的整数,其特征在于:所述IGBT在散热器基板背面构成3列N行的IGBT矩阵,且该IGBT矩阵的列间距相同;所述IGBT阵列的三列IGBT分别构成变频器的一相输出;在所述IGBT阵列中,处于同一列的N个IGBT共用一组输入铜排和一组输出铜排,且所述输入铜排和输出铜排分别位于该列IGBT的两侧。 |
地址 |
518101 广东省深圳市宝安区宝城70区留仙二路鸿威工业区E栋 |