| 发明名称 | LDMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS及其制造方法。该LDMOS包括衬底、体区、漂移区、源极、栅极、漏极、栅氧化层、场氧化层和漏极场板，所述漏极场板与所述漏极电连接，其中：位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度不等，沿着接近所述漏极的方向递减，所述漏极场板在所述部分场氧化层上方连续分布。本发明提供的LDMOS，由于漏极场板下方的场氧化层呈变化减小的厚度，所以漏极场板对漂移区表面的自由电子的吸引作用也呈现逐步变化的分布，从而使得漂移区表面的电场分布更均匀，LDMOS的击穿电压更高。 | ||
| 申请公布号 | CN104241132A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310241960.2 | 申请日期 | 2013.06.18 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 潘光燃;石金成;文燕 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物晶体管LDMOS，包括衬底、体区、漂移区、源极、栅极、漏极、栅氧化层、场氧化层和漏极场板，所述漏极场板与所述漏极电连接，其特征在于：位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度不等，沿着接近所述漏极的方向递减，所述漏极场板在所述部分场氧化层上方连续分布。 | ||
| 地址 | 100000 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||