| 发明名称 | 制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯。更特别地，公开了一种用于生长具有高品质的石墨烯的制造石墨烯的方法，以及通过所述方法制造的石墨烯。所述方法包括准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层以及在所述金属层上形成石墨烯。 | ||
| 申请公布号 | CN104229776A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410129601.2 | 申请日期 | 2014.03.27 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 崔珉硕;金泰亨;文振山;郑明姬 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造石墨烯的方法，包括：准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层；以及在所述金属层上形成石墨烯。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||