| 发明名称 | 晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构、位于所述伪栅极结构下方的半导体层，在所述层间介质层和半导体层内形成开口，所述开口露出下方的半导体衬底；在所述开口内形成金属栅极结构。本发明提高了载流子的迁移速率，增大了晶体管的饱和电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102543744B | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201010613284.3 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面上形成有半导体层，所述半导体层的晶向与所述半导体衬底的晶向不同，所述半导体层和半导体衬底之间产生应力；在所述半导体层上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底和半导体层内形成源区和漏区；在所述半导体层上形成与所述伪栅极结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅极结构、位于所述伪栅极结构下方的半导体层，在所述层间介质层和半导体层内形成开口，所述开口露出下方的半导体衬底；在所述开口内形成外延层，所述外延层的晶向与所述半导体衬底的晶向相同，且所述外延层与所述半导体层齐平；在所述开口内形成金属栅极结构。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||