Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür

摘要

In einer Halbleitervorrichtung enthält ein Graben (5) einen ersten Graben (5a), der einen Öffnungsabschnitt an einer Oberfläche einer Basisschicht (4) hat, und einen zweiten Graben (5b), der mit dem ersten Graben (5a) in Verbindung steht und bei dem ein Abstand zwischen gegenüberliegenden Seitenwänden größer als der von gegenüberliegenden Seitenwänden des ersten Grabens (5a) ist, sowie einen Bodenabschnitt, der in einer Driftschicht (3) liegt. Eine Wandoberfläche eines Verbindungsabschnitts (5c) des zweiten Grabens (5b) in Verbindung mit dem ersten Graben (5a) ist gerundet. Damit kann das Auftreten einer hohen elektrischen Feldkonzentration nahe dem Verbindungsabschnitt (5c) zwischen dem ersten Graben (5a) und dem zweiten Graben (5b) unterdrückt werden. Weiterhin ist es, wenn Elektronen von einem Kanalbereich zur Driftschicht (3) geliefert werden, weniger wahrscheinlich, dass eine Flussrichtung der Elektronen sich in der Nähe des Verbindungsabschnitts (5c) abrupt ändert. Damit kann ein Einschaltwiderstand verringert werden.