LED芯片的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种LED芯片的制造方法，属于光电技术领域。所述方法包括：提供基板，并在基板上形成外延层；在第一掩膜的掩盖下，对外延层进行第一次刻蚀，以形成第一凹槽；采用激光划片技术从外延层一侧进行划片，形成划片槽，并高温腐蚀划片槽；在第二掩膜的掩盖下，对外延层进行第二次刻蚀，以形成隔离槽，隔离槽位于第一凹槽内，且隔离槽的宽度大于划片槽的宽度；在隔离槽中设置绝缘层；在相邻的子芯片间形成电气连接。本发明实施例采用两步刻蚀来形成隔离槽，并在两步刻蚀之间插入正划工艺，可以有效减少划片处吸光，从而提高发光元件的整体亮度，工艺简单，容易实现。

主权项

一种LED芯片的制造方法，适用于大功率LED芯片，所述大功率LED芯片包括多个子芯片，各个所述子芯片通过隔离槽相互间隔，所述隔离槽中形成有绝缘层以电绝缘各个所述子芯片，所述绝缘层上设有电连接线，以电连接各个所述子芯片的电极，实现各个所述子芯片的串联或并联，其特征在于，所述方法包括：提供基板，并在所述基板上形成外延层，所述外延层包括依次层叠在所述基板上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；在第一掩膜的掩盖下，对所述外延层进行第一次刻蚀，以在所述外延层上形成第一凹槽；采用激光划片技术从所述外延层一侧进行划片，形成划片槽，并采用硫酸和磷酸的混合液高温腐蚀所述划片槽，所述划片槽形成于所述第一凹槽内且所述划片槽的宽度小于所述第一凹槽的宽度；在第二掩膜的掩盖下，对所述外延层进行第二次刻蚀，以形成隔离槽，所述隔离槽将芯片分为多个电隔离的子芯片，所述隔离槽位于所述第一凹槽内，且所述隔离槽的宽度大于所述划片槽的宽度；在所述隔离槽中设置绝缘层；在所述第二半导体层上形成透明导电层，在所述透明导电层上形成第二电极，在所述第一半导体上形成第一电极，并在相邻的子芯片间形成电气连接。