| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 在通过在碳化硅基板(1)沉积低浓度n型漂移层(2)而成的半导体基板的前表面上形成有与半导体基板形成肖特基接触的第一前表面金属层(11)。第一前表面金属层(11)的外周端部在覆盖边缘部的层间绝缘膜(6)上延伸。在该第一前表面金属层(11)上形成构成前表面电极的第二前表面金属层(12)，在通过干刻形成其一部分时，利用第二前表面金属层(12)完全覆盖成为肖特基接触金属的第一前表面金属层(11)。由此，在用于形成第二前表面金属层(12)的图案化工序中能防止蚀刻残留物，从而能提供可靠性较高的前表面电极结构以及半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104247024A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201380013907.5 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 今井文一 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括碳化硅半导体基板，该碳化硅半导体基板包括：第一区域，该第一区域具有设置有第一导电型区域的结构或者周期性地设置有第一导电型区域和第二导电型区域的结构；第二区域，该第二区域设置有包围所述第一区域周围的第二导电型区域；第三区域，该第三区域包围所述第二区域的周围，且设置有杂质浓度与所述第二区域的第二导电型区域不同的第二导电型区域；以及形成在所述第二区域以及所述第三区域上的层间绝缘膜，并且在所述碳化硅半导体基板上具有：第一金属层，该第一金属层至少覆盖所述第一区域；以及第二金属层，该第二金属层形成在所述第一金属层上，其特征在于，所述第二金属层的一部分经过干刻，且具有所述第二金属层完全覆盖所述第一金属层的结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||