发明名称 |
一种基于光栅泰伯效应的检焦方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法,其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置,完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化,完成光刻机硅片的高精度检焦:硅片位于焦面位置时,光栅成像波前为平面波前;硅片离焦时,其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单,具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。 |
申请公布号 |
CN104238284A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410500277.0 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
中国科学院光电技术研究所 |
发明人 |
朱咸昌;胡松;赵立新 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
杨学明;顾炜 |
主权项 |
一种基于光栅泰伯效应的检焦方法,其特征在于:检测系统由光源(1)、光束准直扩束系统(2)、第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统、被测硅片(3)、衍射光栅(4)和CCD探测器(5)组成;第一透镜组(Lens_1)和第二透镜组(Lens_2)组成的4f光学系统:当被测硅片(3)位于4f系统的共焦面上时,准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后仍为平面波前,并通过衍射光栅(4)形成其泰伯自成像;当被测硅片(3)离焦时,光束准直扩束系统(2)的出射平面波前经过4f光学系统后为球面波前,衍射光栅(4)的泰伯自成像的周期和位相产生差异,通过CCD探测器(5)完成平面和球面波前的泰伯自成像测量,即可完成硅片的检焦测量。 |
地址 |
610209 四川省成都市双流350信箱 |