| 发明名称 | 薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供一种薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法。一种薄膜晶体管包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的半导体层，包括源区、漏区和沟道区；覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极，其中，所述第一栅绝缘层的位于所述半导体层上的部分具有平坦上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN104241389A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310251908.5 | 申请日期 | 2013.06.21 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 许嘉哲;黄家琦;陈韦廷;许民庆 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李昕巍;赵根喜 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的半导体层，包括源区、漏区和沟道区；覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极，其中，所述第一栅绝缘层的位于所述半导体层上的部分具有平坦上表面。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||