发明名称 一种Class D结构的无线输电装置用高频电源设备
摘要 本发明公开了一种Class D结构的无线输电装置用高频电源设备,包括电源保护电路、高频振荡单元、高速驱动单元、高频功率放大单元。其中,电源保护电路是给高频电源系统供电和提供异常保护的电路,并输出电源给另外3个单元供电;高频振荡单元采用高频振荡原理将直流电经过振荡产生一个高频信号输出到高速驱动电路;高速驱动电路将高频信号整形后生成差分信号,再分别经过采用独立源极与漏极输出的高端、低端驱动输出DH和DL信号,用于驱动高频功率放大单元;高频功率放大单元是由一对增强型GaN功率FET,在驱动信号的作用下使其工作在开关状态,将输入信号进行功率放大后输出,作为无线输电系统中的高频电源。
申请公布号 CN104242714A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410326100.3 申请日期 2014.07.10
申请人 丁文萍 发明人 丁文萍
分类号 H02M7/537(2006.01)I;H02H7/12(2006.01)I;H02J17/00(2006.01)I 主分类号 H02M7/537(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种ClassD结构的无线输电装置用高频电源设备,由电源保护电路、高频振荡单元、高速驱动单元、高频功率放大单元组成;所述的电源保护电路为各单元提供工作电压,并在输入过压,高频功率放大单元过流和过热时提供保护,高频振荡单元产生一个高频信号送往高速驱动单元,高速驱动单元将高频信号整形后生成差分信号,再分别经过采用独立源极与漏极输出的高端、低端驱动输出DH和DL信号,用于驱动高频功率放大单元;高频功率放大单元将输入信号进行功率放大后输出,作为无线输电系统中的高频电源。如权利要求1所述的一种ClassD结构的无线输电装置用高频电源设备,其特征在于:所述高频功率放大单元是由2个增强型GaN功率FET组成的半桥D类功率放大器。
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