发明名称 |
一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构,包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层,所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口,所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导,所述脊波导包括脊形台面和沟槽,所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下,除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外,剩余面均设有SiO<sub>2</sub>隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力,增强器件的电隔离能力,同时减少SiO<sub>2</sub>隔离膜的厚度,降低后工序的工艺难度。 |
申请公布号 |
CN104242056A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410531269.2 |
申请日期 |
2014.10.10 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
发明人 |
唐祖荣;周勇;陈文胜;段利华;吴天伟;田坤 |
分类号 |
H01S5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
刘佳 |
主权项 |
一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构,其特征在于,包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层,所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口,所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导,所述脊波导包括脊形台面和沟槽,所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下,除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外,剩余面均设有SiO<sub>2</sub>隔离膜。 |
地址 |
400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 |