CMOS下变频混频器

摘要

本发明公开了一种CMOS下变频混频器，包括射频差分输入电路和开关电路，开关电路的正相和反相输出端和电源电压之间连接有由电阻和PMOS管并联形成的负载电路，负载电路的PMOS管的栅极都连接由控制电压从而能调节负载电路的负载阻抗。射频差分输入电路的两个NMOS跨导管的漏极都分别连接一恒流源，源极共同连接一LC并联电路。本发明能提高增益并实现增益可调，能提高线性度和噪声性能，能降低工作电压。

主权项

一种CMOS下变频混频器，其特征在于，包括：射频差分输入电路，包括第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极作为两个射频输入端并分别连接两个差分射频电压信号，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极连接在一起，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的漏极作为所述射频差分输入电路的两个输出端并分别输出和所述差分射频电压信号频率相同的两路差分射频电流信号；开关电路，所述开关电路包括两个对称且为全差分结构的第一开关支路和第二开关支路，所述第一开关支路和所述第二开关支路的控制端都分别连接两个差分本振信号，所述第一开关支路的输入端连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二开关支路的输入端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第一开关支路和所述第二开关支路的正相输出端连接在一起并输出差分中频电压信号的正相信号，所述第一开关支路和所述第二开关支路的反相输出端连接在一起并输出差分中频电压信号的反相信号；所述第一开关支路和所述第二开关支路的正相输出端和电源电压之间连接有第一负载电路，所述第一开关支路和所述第二开关支路的反相输出端和电源电压之间有第二负载电路；所述第一负载电路由第一电阻和第一PMOS管并联而成，所述第一电阻和所述第一PMOS管的漏极连接并接两个所述开关支路的正相输出端，所述第一电阻和所述第一PMOS管的源极连接并接电源电压；所述第二负载电路由第二电阻和第二PMOS管并联而成，所述第二电阻和所述第二PMOS管的漏极连接并接两个所述开关支路的反相输出端，所述第二电阻和所述第二PMOS管的源极连接并接电源电压；所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相同，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的结构相同，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极都连接第一控制电压，通过调节所述第一控制电压的大小调节所述第一负载电路和所述第二负载电路的负载大小，实现所述CMOS下变频混频器的增益调节。