无铝半导体激光器结构

摘要

本发明属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种无铝半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本发明是在非对称波导层的基础上对器件的波导层材料和限制层材料如何影响模式限制因子、吸收损耗、阈值电流、输出功率以及长寿命可靠性等进行改进，得到的新结构材料体系的半导体激光器，其中，下、上限制层采用导带差小的InGaP材料，下、上波导层采用导带差小的InGaAsP材料并且选择无铝的非对称的直波导结构。

主权项

一种无铝半导体激光器结构，其特征在于，包括：衬底（1），为（100）面的N型GaAs材料；缓冲层（2），设于衬底（1）上，为N型GaAs材料；下匹配层（3），设于缓冲层（2）上，为N型InGaP材料；下限制层（4），设于下匹配层（3）上，为N型InGaP材料；下过渡层（5），设于下限制层（4）上，为N型GaAs材料；下波导层（6），设于下过渡层（5）上，为N型InGaAsP材料；多量子阱层，设于下波导层（6）上，包括InGaAs势阱层及相应的GaAsP势垒层，周期数为2≤N≤6；上波导层（10），设于多量子阱层上，为P型InGaAsP材料；上过渡层（11），设于上波导层（10）上，为P型GaAs材料；上限制层（12），设于上过渡层（11）上，为P型InGaP材料；上匹配层（13），设于上限制层（12）上，为P型InGaP材料；电极接触层（14），设于上匹配层（13）上，为P型GaAs材料。