| 发明名称 |
HALBLEITERVORRICHTUNG MIT REKOMBINATIONSZENTREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN |
| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterteil (100) mit einer oder mehreren Fremdstoffzonen (110) des gleichen Leitfähigkeitstyps. Eine erste Elektrodenstruktur (310) ist elektrisch mit der einen oder den mehreren Fremdstoffzonen (110) in einem Zellgebiet (610) des Halbleiterteiles (100) verbunden. Wenigstens in einem das Zellgebiet (610) umgebenden Randgebiet (690) ist eine Rekombinationszentrendichte in dem Halbleiterteil (100) höher als in einem aktiven Teil des Zellgebietes (610).</p> |
| 申请公布号 |
DE102014108279(A1) |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
| 申请号 |
DE201410108279 |
申请日期 |
2014.06.12 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
SIEMIENIEC, RALF;SCHULZE, HANS-JOACHIM;GAMERITH, STEFAN;WEBER, HANS |
| 分类号 |
H01L29/32;H01L21/22;H01L21/266;H01L21/322;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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