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PIN-Diode (10), mit: einem Halbleitersubstrat, welches eine erste N-Typ-Halbleiterschicht (1) und eine zweite N-Typ-Halbleiterschicht (2) mit einer geringeren Fremdstoffkonzentration als der Fremdstoffkonzentration der ersten Halbleiterschicht aufweist, einer Kathodenelektrode, die an einer Außenfläche der ersten Halbleiterschicht ausgebildet ist, einem Hauptanodengebiet (16), einem separierten Anodengebiet (15) und einem Anodenverbindungsgebiet, die ausgebildet sind durch selektives Diffundieren eines P-Typ-Fremdstoffes von einer Außenfläche der zweiten Halbleiterschicht, und einer Anodenelektrode (17), die auf dem Hauptanodengebiet (16) ausgebildet ist, wobei: das Hauptanodengebiet (16) eine im Wesentlichen rechtwinklige Außenkante aufweist, deren vier Seiten jeweils dazu ausgebildet sind, lineare Teile zu sein, und deren vier Vertices jeweils ausgebildet sind, im Wesentlichen bogenartig gekrümmte Teile zu sein, das separierte Anodengebiet (15) entlang der Außenkante des Hauptanodengebiets ringförmig ausgebildet ist, und das Anodenverbindungsgebiet so ausgebildet ist, dass es eine Gestalt aufweist, die ausgebildet ist durch einen hervorstehenden Bereich (15a) einer beliebigen Innenkante des separierten Anodengebiets und eines beliebigen linearen Teils, wobei diese jeweils in Punktkontakt miteinander gebracht werden, wobei die Innenkante und die linearen Teile jeweils einander gegenüberliegen oder an einander angrenzen. |
