发明名称 |
半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 |
摘要 |
半导体发光元件(100)具有:透明基板(110),其对该半导体发光元件(100)所发出的光具有透光性;多层结构体(150),其形成在所述透明基板(110)上。多层结构体(150)包含由n型层(120)、MQW发光层(130)及p型层(140)构成的半导体多层膜。透明基板(110)包括光散射结构(200),所述散射结构(200)形成在该透明基板(110)中,用于使入射到基板中的光散射。 |
申请公布号 |
CN104247053A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201380012484.5 |
申请日期 |
2013.03.07 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
神川刚;加藤正明;花本哲也 |
分类号 |
H01L33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
岳雪兰 |
主权项 |
一种半导体发光元件,其特征在于,是发出光的半导体发光元件,包括:透明基板,其对所述半导体发光元件发出的光具有透光性;多层结构体,其形成在所述透明基板上,包含半导体多层膜;所述透明基板包括光散射机构,该光散射机构形成在该透明基板中,用于使入射到基板中的光散射。 |
地址 |
日本大阪府 |