| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法，其简单地减少由微泡引起的显影缺陷。本发明的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜(2)的碳化硅衬底(1)的工序；(b)将第1显影液(3)滴下至光致抗蚀剂膜(2)上的工序；(c)在工序(b)结束后经过第1显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第1显影液(3)的工序；(d)在工序(c)之后向光致抗蚀剂膜(2)上滴下第2显影液(3)的工序；以及(e)在工序(d)结束后经过第2显影时间后，使碳化硅衬底(1)旋转，从光致抗蚀剂膜(2)上甩掉第2显影液(3)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104238286A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410280862.4 | 申请日期 | 2014.06.20 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 结城秀昭;绫淳;鹿间省三 |
| 分类号 | G03F7/30(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：(a)准备在一个主面上形成有光致抗蚀剂膜的半导体衬底的工序；(b)将第1显影液滴下至所述光致抗蚀剂膜上的工序；(c)在所述工序(b)结束后经过第1显影时间后，使所述半导体衬底旋转，从所述光致抗蚀剂膜上甩掉所述第1显影液的工序；(d)在所述工序(c)之后向所述光致抗蚀剂膜上滴下第2显影液的工序；以及(e)在所述工序(d)结束后经过第2显影时间后，使所述半导体衬底旋转，从所述光致抗蚀剂膜上甩掉所述第2显影液的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||