SiC单晶及其制造方法

摘要

本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使Si-C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1-100)面接触Si-C熔液；以及在籽晶的(1-100)面上以小于20×10^-4cm²/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。

主权项

一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使所述Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使所述SiC籽晶的(1‑100)面接触所述Si‑C熔液；以及在所述籽晶的(1‑100)面上以小于20×10^‑4cm²/h·℃的、所述SiC单晶的生长速度相对于所述温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。