虚拟化电特性优化测试方法

摘要

本发明公开了虚拟化电特性优化测试方法，测试流程包括：1）采集调试样品芯片的模拟值和工艺特性参数，建立与所采集的数据最匹配的函数模型；2）根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数；3）在量产测试时，采集步骤2）确定的样品数的芯片的数据，通过数学优化方法，建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数；4）参照步骤3）建立的最佳函数，完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。本发明通过建立产品电特性优化测试（TRIM）数据模型，寻找数据的最佳函数匹配，在量产测试程序中参照该函数完成所有芯片的虚拟化电特性优化测试（VTRIM），实现了全晶圆所有芯片电特性参数的快速、可靠优化。

主权项

虚拟化电特性优化测试方法，其特征在于，测试步骤包括：1）采集调试样品芯片的电优化参数模拟值和工艺特性参数，建立与所采集的数据最匹配的函数模型；2）根据置信区间确定量产测试中建模需要采集的样品数；3）在量产测试时，采集步骤2）所确定的样品数的芯片的数据，通过数学优化方法，建立产品虚拟化电特性优化测试最佳函数；4）参照步骤3）建立的最佳函数，完成所有芯片的虚拟化电特性优化量产测试。